GS66502B用アルミ基板入手2017年12月13日 21時31分43秒

アルミ基板が届いた。発注をかけたのが11月15日で工場から発送したのが11月22日。およそ3週間かかったことになる。発送手段にはSingapore Postを指定した(送料10.89ドル)。

レジストは今回白色を指定。実際手にしてみるとこれはアルミ基板によく似合う。おかしなシルクの文字が印刷されているのは、私のミス。ほかは問題なし。

続いてmouserからGS66502Bが届いたので、基板に載せる作業に取り掛かった。この場合、ハンダゴテの温度管理が難しい。FR-4基板のようにはいかない。アルミ基板に熱がどんどん奪われるので、目一杯温度設定を上げる。

まずドレインのランドに少量の予備ハンダを行う。ハンダで熱しながらGS66502Bをスライドさせるように定位置に滑らせていくと良いようだ。後で気がついたのだが、ソースのランドにこの手法を適用させたほうが良かったかもしれない。

実装が終わってから中華製LCR計でMOS-FETとして認識されることを確認すれば完成となる。10枚ともに問題なくOK。

このあとの作業予定。シャーシはCounterpoint SA-20を利用。初段はWE420A。プレート負荷はLND150による定電流回路を予定。初段用の電源トランスはフェニックスさんに依頼して、すでに届いている。
まずはシャーシの加工から手を付けなければならない。

コメント

_ Bunpei ― 2017年12月17日 20時14分59秒

私は、整流用ダイオードにはInfineonのSiCタイプを使っているのですが、
以下の発表資料によると、GaN素子のG-Sを直結するとダイオードと等価になるとこのことで、GS66502Bを買って5V用電源でトライしてみました。
https://superlab.stanford.edu/poster/APEC2017_slides_Sanghyeon.pdf
しかし、SiCダイオードと交換したところ、何も放熱のしかけをしていないGS66502Bが熱くなるので、こわくなって止めました。
このアルミ基板で放熱の問題がなくなるならば、ダイオードとしての利用でInfineonのSiCとの比較を公開していただけると大変ありがたいです。

ところで、GS66502BのCossは、上記の発表資料によるとNavitasの素子に較べて大きいそうですね。当該資料は、高周波・高電圧・高電流の場合ですが、そのCossによるインピーダンスがエネルギーロスすなわち素子の発熱の原因だといっているように理解しました。

話はかわりますが、InfineonのSiCのG6は良いですね。私はG5をG6に取り換えました。

_ Kon ― 2017年12月18日 23時15分13秒

BunpeiさんもInfineonを採用していたとは誠に心強い限りです。

最近本職が忙しくて、Infineonの最新情報に疎くなっていました。G6に関する情報を感謝します。アナライザが片付いたら試さなくてはいけませんね。

教えていた抱いた資料を端折りながらですがざっと見ました。メーカーではなかなか出せない貴重なデータですね。G-Sをショートするとダイオードになるという話は初耳でした。すぐに実験してみたところはさすがです。

こちらは、アルミ基板に載せたものをペア取りすればいくつか余るはずですので、それで試したいと思います。少しお待ちいただきますが、わかったらブログに載せましょう。

コメントをどうぞ

※メールアドレスとURLの入力は必須ではありません。 入力されたメールアドレスは記事に反映されず、ブログの管理者のみが参照できます。

※なお、送られたコメントはブログの管理者が確認するまで公開されません。

名前:
メールアドレス:
URL:
コメント:

トラックバック

このエントリのトラックバックURL: http://john.asablo.jp/blog/2017/12/13/8747802/tb

※なお、送られたトラックバックはブログの管理者が確認するまで公開されません。