IRLB3813PbfはNGだった ― 2013年05月15日 19時56分25秒
Reflektor AdvancedのM3に何がもっとも適しているのか、いろいろなMOSFETを入れて試験中。
今回は、IRLB3813Pbfを使ってみた。非常にRds(ON)オン抵抗が小さく、gfsが大きいのが魅力的だったからだ。さぞかしインピーダンスも低くなるものと期待した。
しかし音が冴えない。奥に引っ込んでしまい、活力が半減している。低音もこもってしまい、前に出てこない。すべてがだめだ。
原因は何か。おそらくCiss=8420pF, Coss=1620pF, Crss=650pFというような大きな容量のためと推測する。これは以前にシャント素子を選ぶときにも言えたことだった。つまり今回の実験で、M3にはCxxxのより小さな素子を選ぶべきであるとの判断基準が確立されたことになる。失敗ではあったがきちんと成果はあった。
シミュレーションでは非常に良い成績を出してくるのに、音がそれに伴わないのはなぜか。これまではシミュレーションを全面的に信頼してきたのだが、どうも小電流領域ではspice modelは現実の姿を反映していないようだ。
簡単な実験をやってみた。MOSFETのDとGを接続し、FETによる定電流を流してVgs(th)を測定する。これを2種類の電流で比較する。こうすることで、簡易的ではあるが動作抵抗を知ることができる。STP55NF06LもIRLB3813Pbfもおよそ6Ωほどの値となり、シミュレーションの値とは大きくかけ離れている。
この結果、今回の目的では、オン抵抗やgfsを判断材料として用いることは不適切であることがわかった。
ところで、MOSFETの動作抵抗が予想外に高かったのには驚いた。
今回は、IRLB3813Pbfを使ってみた。非常にRds(ON)オン抵抗が小さく、gfsが大きいのが魅力的だったからだ。さぞかしインピーダンスも低くなるものと期待した。
しかし音が冴えない。奥に引っ込んでしまい、活力が半減している。低音もこもってしまい、前に出てこない。すべてがだめだ。
原因は何か。おそらくCiss=8420pF, Coss=1620pF, Crss=650pFというような大きな容量のためと推測する。これは以前にシャント素子を選ぶときにも言えたことだった。つまり今回の実験で、M3にはCxxxのより小さな素子を選ぶべきであるとの判断基準が確立されたことになる。失敗ではあったがきちんと成果はあった。
シミュレーションでは非常に良い成績を出してくるのに、音がそれに伴わないのはなぜか。これまではシミュレーションを全面的に信頼してきたのだが、どうも小電流領域ではspice modelは現実の姿を反映していないようだ。
簡単な実験をやってみた。MOSFETのDとGを接続し、FETによる定電流を流してVgs(th)を測定する。これを2種類の電流で比較する。こうすることで、簡易的ではあるが動作抵抗を知ることができる。STP55NF06LもIRLB3813Pbfもおよそ6Ωほどの値となり、シミュレーションの値とは大きくかけ離れている。
この結果、今回の目的では、オン抵抗やgfsを判断材料として用いることは不適切であることがわかった。
ところで、MOSFETの動作抵抗が予想外に高かったのには驚いた。
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