GaNアンプ 完成篇2024年04月03日 20時24分35秒

その後、小さな変更を加えて回路が定まった。
まずは増幅部。
変更箇所は以下のとおり。
入力トランスの二次側を600Ω接続から150Ω接続に変更。
C3mを五結に変更したところ、ゲインが大きすぎて使いづらくなったため接続変更でゲインを6dB落とした。

同じく入力トランスの二次側に1KΩを並列に接続。オープンのままだと音が暴れる。

C13,C14をグランド接続からカソード接続に変更。わずかの差だが、こちらが好ましく聞こえる。

R3はデールの巻線抵抗で、以前に使っていたアムトランスのカーボン抵抗と比べて、音の陰影がくっきりとして透明感が増す。プレート抵抗はこれに限る。

続いて電源部。
R9,R10を8.4KΩから1KΩに変更し、他はそのままである。

(総評)
終段に使ったGaN素子は個性を押しつけるようなところはなく、出てくる音はC3mそのもののように感じる。というのは、初段にC3gを使った300Bシングルアンプと音の傾向がよく似ているからである。濃密で充実感に富み、音楽の楽しさが伝わってくる。
今の構成における完成形であろう。

ただし、気になるところはある。C3mを五結にしたおかげで、これは300Bシングルアンプでも問題となったのだが、インピーダンスとゲインが高いためにノイズを誘導しやすい。不定期にジーという音が聞こえてくる。これはなんとかしたいところ。

ゲインを下げればよいかと思ってC3mのカソードパスコンをはずしてみた。たしかにゲインは下がってジーは聞こえない。しかし同時にまったく聞くに堪えない音になってしまった。音に力がなく、何も感動が起こらない。すぐに元に戻した。
単純にゲインが低くなったことがゲインではなく、カソード抵抗による電流帰還が音をダメにしてしまっているのだろうと推測。
固定バイアスのメリットは、こういうことと関係しているのかもしれない。

ということで、次なるアンプを構想する。
(1)五結ではゲインが高すぎるというのであれば、初段は三結とする。
(2)終段はGaNのドレインフォロワーとして、終段にもゲインを持たせる。前回は音が高域に偏りうまくいかなかったが、なんとか再挑戦したい。
さてどうなるか。

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