GaN Single End Power Amp その7 ― 2023年05月17日 20時47分30秒
「その６」アンプの100Hzの歪率が極端に悪い現象。入力トランスの2次側負荷が重すぎたのが原因と判明。
ということで次のアンプ、次のような構成となる。
・入力トランス：PI201203
・初段はC3mをカソードフォロワとし、カソードには30Hのチョークを接続。終段のアイドリング電流は、C3mの第二グリッドの電圧を変えることで設定する。
・終段はGaN素子
・GaNはドレインフォロワとし、100mHの空芯インダクタをドレインに配する
ここまでは前回までと同じ。NFBのかけ方が変わる。
・NFBは反転入力タイプとし、C3mのグリッドに47KΩを配する。これで入力トランスの2次側の負荷が軽くなる。
回路図は以下のとおり。なお電源部についてはアンプ6と同じ。
出力に0.22uFをつなぐことで動作は完璧に安定する。
さて、歪率であるがつぎのようになった。
アンプ６に比べ、まだ十分とは言えないかもしれないが100Hzの歪率は明らかに改善した。
音も格段な変化があった。いままで頭が押さえつけられた蓋が取り去られ、空間が大きく拡大する。
こうなるとNFBの47KΩをもっと大きな値にしたらどうなるかというところに興味が湧く。
ということで次のアンプ、次のような構成となる。
・入力トランス：PI201203
・初段はC3mをカソードフォロワとし、カソードには30Hのチョークを接続。終段のアイドリング電流は、C3mの第二グリッドの電圧を変えることで設定する。
・終段はGaN素子
・GaNはドレインフォロワとし、100mHの空芯インダクタをドレインに配する
ここまでは前回までと同じ。NFBのかけ方が変わる。
・NFBは反転入力タイプとし、C3mのグリッドに47KΩを配する。これで入力トランスの2次側の負荷が軽くなる。
回路図は以下のとおり。なお電源部についてはアンプ6と同じ。
さて、歪率であるがつぎのようになった。
音も格段な変化があった。いままで頭が押さえつけられた蓋が取り去られ、空間が大きく拡大する。
こうなるとNFBの47KΩをもっと大きな値にしたらどうなるかというところに興味が湧く。
GaN Single End Power Amp その8 ― 2023年05月17日 21時18分50秒
アンプ７のNFB抵抗を47KΩから147KΩに変更した。改めて回路図をかかがげる。
続いて電源部。
歪率は以下のとおり。
100Hzの歪率特性はまだ一致しているとは言えないが、アンプ7に比べて改善されている。
音も変化はあった。ただアンプ7とアンプ8とどちらが優れているかというのではなく、好みの違いのレベル。アンプ８は一段と透明感が上がるが、アンプ7の力強さも魅力的である。
今回、チョークトランスは新品を使ったので、このエージングには数ヶ月かかる。夏の盛りには音が落ち着いているだろうか。
最後に現在の雄姿を。
今の状態でもアイドリング電流はよく安定している。とは言え、放熱器をもう少し大きくしたほうが理想的と思える。
C3mはヒーター電圧が20Vでやや特殊だが、終段のB電源(+31V)をそのまま利用できるので都合がよい（100Ω抵抗を介して供給）。なおヒーター部については回路図には記していない。
音も変化はあった。ただアンプ7とアンプ8とどちらが優れているかというのではなく、好みの違いのレベル。アンプ８は一段と透明感が上がるが、アンプ7の力強さも魅力的である。
今回、チョークトランスは新品を使ったので、このエージングには数ヶ月かかる。夏の盛りには音が落ち着いているだろうか。
最後に現在の雄姿を。
C3mはヒーター電圧が20Vでやや特殊だが、終段のB電源(+31V)をそのまま利用できるので都合がよい（100Ω抵抗を介して供給）。なおヒーター部については回路図には記していない。
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