GaN 単段アンプ その10 （失敗篇） ― 2021年04月27日 21時07分17秒
前回、「たぶん決定版」と書いたけれど、微妙なのだがわずかに耳に引っかかるものを感じる。どこかにまだ完全な部分があるらしい。
そこでない知恵を絞ってみた。気になっているのはNFBのかけ方で、出力から帰還抵抗を経て下側(Lower side)GaNのゲートに接続しているが、これが本当に正しいのか今ひとつ自信がない。帰還率は入力トランスのDCRとインピーダンスで決まるはずで、確かに動作はする。しかし、である。シミュレーションで矩形波を入力すると、ごくわずかに異常な波形が観測される。通常ならこのようなことは起こらない。
それで入力トランスを使わないNFBのかけ方を試すことにした。それがこの回路図。
ところが問題が発生。発振してGaNが上下二個とも破壊されてしまった（泣）。
大電流が流れたわけではない。もしそうであれば、空芯コイルのDCRでドレイン電圧が低下して破壊に至る前に動作が停止するはず。寄生発振の怖さである.
さて原因は何か。断定はできないが、入力トランスの二次側がR6によって交流的に浮いたせいかもしれない。いずれにせよ、この方法は使えない。
ところでGS66502Bだが、現在Mouserの在庫はゼロで入荷は半年後表示されている。世界の半導体はかなりショートしていて、自動車の減産も余儀なくされていると聞く。その影響がここにも及んでいるのか。部品棚にある在庫はたった2個。大事に使わなければ。
そこでない知恵を絞ってみた。気になっているのはNFBのかけ方で、出力から帰還抵抗を経て下側(Lower side)GaNのゲートに接続しているが、これが本当に正しいのか今ひとつ自信がない。帰還率は入力トランスのDCRとインピーダンスで決まるはずで、確かに動作はする。しかし、である。シミュレーションで矩形波を入力すると、ごくわずかに異常な波形が観測される。通常ならこのようなことは起こらない。
それで入力トランスを使わないNFBのかけ方を試すことにした。それがこの回路図。
ところが問題が発生。発振してGaNが上下二個とも破壊されてしまった（泣）。
大電流が流れたわけではない。もしそうであれば、空芯コイルのDCRでドレイン電圧が低下して破壊に至る前に動作が停止するはず。寄生発振の怖さである.
さて原因は何か。断定はできないが、入力トランスの二次側がR6によって交流的に浮いたせいかもしれない。いずれにせよ、この方法は使えない。
ところでGS66502Bだが、現在Mouserの在庫はゼロで入荷は半年後表示されている。世界の半導体はかなりショートしていて、自動車の減産も余儀なくされていると聞く。その影響がここにも及んでいるのか。部品棚にある在庫はたった2個。大事に使わなければ。
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