CirclotronにGaNダイオードを投入する(準備編)2018年05月05日 21時41分34秒

FusionPCBに注文しておいたアルミ基板は数週間前に届いていた。
実を言うとデータを相手先に送った翌日、問い合わせのメールが来ていた。「基板の角の処理なんだけど、図面を見ると直角の線とラウンド線の両方があって、どっちが正しいの?」という内容。なるほど言われてみるとそうだった。「すまん。丸くなっている方の線で処理をお願い」と返事したらすぐに作業に取りかかってくれた。なかなか好感の持てる応対だった。

封を開けて検品。問題なし。続けて本命のGS61004BをMouserに発注。数量は30個。これも一週間程度で届いた。


さてこれをどう使うか。今回のターゲットはCirclotronの整流ダイオードである。回路図で丸く囲った箇所。現在はInfineonの第5世代IDH16G65C5。これをGS61004Bに入れ替える。
まずアルミ基板への半田付け作業にかかる。ここでちょっと手こずった。ソースのパッドに半田ごてを当てて熱しながらGS61004Bをスライドさせ、所定位置に来たら半田ごてを離す。という段取りだったが、これがうまくいかない。半田ごてに温度を最高に上げても、すぐに半田が固まってしまうらしく、スライドできない。長時間無理矢理に半田ごてを当てたら、8個のうち2個が動作不良になってしまった。後からわかったのだが、素子をパッドの所定位置にテープで仮止めして、素子の脇に半田ごてを当てながら半田を流すのが一番確実で安全なようだ。

このようにして8個そろったところで、アンプを開腹して整流ダイオード・アッセンブリをを取り出し、GaNに入れ替えていく。この後予想外のトラブルに遭遇するのが、そのことはまた次のコラムで。

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