Konちゃんの虫眼鏡

今回、CREEのSiC MOSFETであるC3M0280090をそのままGaN素子であるGS66502Bに置き換えたところ、みごとに発振した。発振周波数は10MHz付近である。

このような場合、定石としてZobelであるC3とR9をいじってみたのだが、全く症状は収まらない。ゲートストッパーであるR6の値が小さすぎたのかとも思い、直列にフェライト・ビーズを入れて様子を見たのだが、これもNG．

結局あれこれ試行錯誤した結果、DN2540にゲートストッパーとしてR1=100Ωを入れたら発振は止まった。

ただし、入力電圧が14V付近までは安定するが、これを超えると発振の兆候が見えてくるので、最適値はもう少し大きなところにあるのかもしれない。

また感触として、これまで4線式でレギュレータとターゲット基板をつないでいたが、そこあたりに課題があるように思われる。シミュレーションをしてみると、GS66502Bをターゲット基板に持ってきたほうが安定するようだ。


さて、当初懸念していたのは発熱処理についてであったので、そのことに触れておく。

簡単な評価基板を作って温度の上昇具合を観察してみた。LEDを使ってゲートバイアス電圧を与え、D-S間電圧を8..5Vとすると100mA流れる。その状態で２４時間様子を見る。

素子に指を触れてみるとおよそ45度程度。意外に熱くならない。エクール基板の効果だろう。これで、少なくとも850mWの損失電力までは安定動作することを確認できた。
まだ余裕がありそうなので1W程度まで大丈夫だろう。